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    3AP-CJ-150C冷熱沖擊試驗(yàn)設(shè)備廠家

    冷熱沖擊試驗(yàn)設(shè)備廠家適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-150C冷熱沖擊試驗(yàn)儀器廠家

    冷熱沖擊試驗(yàn)儀器廠家適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-150C冷熱沖擊試驗(yàn)箱廠家

    冷熱沖擊試驗(yàn)箱廠家適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A深圳實(shí)驗(yàn)室高低溫沖擊箱

    深圳實(shí)驗(yàn)室高低溫沖擊箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A冷熱沖擊試驗(yàn)箱廠家直銷

    冷熱沖擊試驗(yàn)箱廠家直銷適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A北京冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)儀

    北京冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)儀適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A半導(dǎo)體冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)儀

    半導(dǎo)體冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)儀適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A半導(dǎo)體冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)箱

    半導(dǎo)體冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-150C輪胎冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)箱

    輪胎冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A芯片冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)箱

    芯片冷熱沖擊高低溫試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A光伏產(chǎn)業(yè)用冷熱沖擊試驗(yàn)箱

    光伏產(chǎn)業(yè)用冷熱沖擊試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-80A冷熱沖擊和高低溫循環(huán)

    冷熱沖擊和高低溫循環(huán)適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    2AP-CJ-40℃冷熱沖擊試驗(yàn)箱

    -40℃冷熱沖擊試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-50上下移動(dòng)溫度沖擊試驗(yàn)箱

    上下移動(dòng)溫度沖擊試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    2AP-CJ急冷急熱沖擊試驗(yàn)檢測(cè)箱

    急冷急熱沖擊試驗(yàn)檢測(cè)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    2AP-CJ上下移動(dòng)溫度沖擊試驗(yàn)箱

    上下移動(dòng)溫度沖擊試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    3AP-CJ-50小的沖擊試驗(yàn)箱

    小的沖擊試驗(yàn)箱主要用于測(cè)試工業(yè)材料對(duì)極熱溫或極冷溫的抵抗能力,這種情況類似于不連續(xù)地處于現(xiàn)實(shí)生活中的高溫或低溫中的環(huán)境,冷熱溫度沖擊能使各種工業(yè)產(chǎn)品在*短的時(shí)間內(nèi)完成試驗(yàn)。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    AP-CJ全自動(dòng)冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)

    全自動(dòng)冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    AP-CJ高溫低溫冷熱沖機(jī)

    可程控式冷熱沖擊試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    2AP-CJ上下移動(dòng)的溫度沖擊試驗(yàn)箱

    上下移動(dòng)的溫度沖擊試驗(yàn)箱適用于半導(dǎo)體、電子電器零組件、化學(xué)材料、金屬材料、自動(dòng)化零部件、通訊組件、國(guó)防工業(yè)、航天工業(yè)、BGA、PCB基板、電子芯片IC、及高分子材料之物理變化的理想測(cè)試設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-07-03
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